Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS6609A

Изображение служит лишь для справки






FDS6609A
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.3A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:32m Ω @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:930pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:29nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):6.3A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.032Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000