(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7476TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7476TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.8V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
- Время отключения：19 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2006
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2.5W
- Время задержки включения：11 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8m Ω @ 15A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.9V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2550pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 4.5V
- Время подъема：29ns
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Время падения (тип)：8.3 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：15A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：12V
- Высота：1.4986mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
