(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ040N04LSGATMA1
Изображение служит лишь для справки
BSZ040N04LSGATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP
Date Sheet
Lagernummer 12875
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：PG-TSDSON-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A Ta 40A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 69W Tc
- Время отключения：33 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS™
- Опубликовано：1998
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Распад мощности：69W
- Время задержки включения：8.5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 36μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5100pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64nC @ 10V
- Время подъема：4.8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：5.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：40A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：40V
- Входной ёмкости：5.1nF
- Сопротивление стока к истоку：3.3mOhm
- Rds на макс.：4 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 12875
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
