Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL60P4LLF6
Изображение служит лишь для справки
STL60P4LLF6
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：170 ns
- Operating Temperature：175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™ F6
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STL60
- JESD-30 Code：R-PDSO-F5
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：49.4 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：14m Ω @ 6.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA (Min)
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3525pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 4.5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：60A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.019Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：240A
- DS Breakdown Voltage-Min：40V
- Height：950μm
- Length：6.35mm
- Width：5.4mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты