(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPN80R4K5P7ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPN80R4K5P7ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-3
- MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Date Sheet
Lagernummer 6301
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：6W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：CoolMOS™ P7
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5 Ω @ 400mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 20μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：80pF @ 500V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Минимальная напряжённость разрушения：800V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 6301
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
