Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD80R4K5P7ATMA1

Изображение служит лишь для справки






IPD80R4K5P7ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 2486
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:13W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:CoolMOS™
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.5 Ω @ 400mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:80pF @ 500V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):800V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):1.5A
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Максимальный импульсный ток вывода:2.6A
- Минимальная напряжённость разрушения:800V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1 mJ
- Характеристика ТРП:Super Junction
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2486
Итого $0.00000