(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS50DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISS50DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8S
- N-Channel 45 V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 16075
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8S
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8S
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：29.7A Ta 108A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：5W Ta 65.7W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.83mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4000pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：70nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：45V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
Со склада 16075
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
