SQJ886EP-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQJ886EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
VISHAY SILICONIX SQJ886EP-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 40V, 60A, PPAKSO8L
Date Sheet

Lagernummer 4329

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：55W Tc
Время отключения：29 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Опубликовано：2015
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G4
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：55W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5m Ω @ 15.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2922pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65nC @ 10V
Время подъема：17ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：60A
Пороговое напряжение：2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0045Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Максимальный импульсный ток вывода：240A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：64 mJ
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4329

Итого $0.00000