(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS30LDN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISS30LDN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8S
- VISHAY - SISS30LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 80V, 55.5A, 150DEG C, 57W
Date Sheet
Lagernummer 2442
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8S
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8S
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16A Ta 55.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：4.8W Ta 57W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2070pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2442
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
