(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI5414DC-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI5414DC-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：1206-8 ChipFET™
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 6.3W Tc
- Время отключения：36 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Время задержки включения：14 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：17mOhm @ 9.9A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1500pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：41nC @ 10V
- Время подъема：12ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：6A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Входной ёмкости：1.5nF
- Сопротивление стока к истоку：40mOhm
- Rds на макс.：17 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
