(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISP25DP06NMXTSA1
Изображение служит лишь для справки
ISP25DP06NMXTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET P-CH 60V SOT223-4
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.9A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W Ta 4.2W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS™
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：250m Ω @ 1.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 270μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：420pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10.8nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
