(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI1079X-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI1079X-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Date Sheet
Lagernummer 5420
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.44A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：330mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2017
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 1.4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：750pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.1Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 5420
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
