DMT68M8LSS-13

Name: Diodes Incorporated DMT68M8LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
Price: 0.391473 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (14 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans Mosfet N-ch 60V 28.9A 8-PIN SOIC T/r
Date Sheet

Lagernummer 9200

1+： $0.39147
10+： $0.36931
100+： $0.34841
500+： $0.32869
1000+： $0.31008

Zwischensummenbetrag $0.39147

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28.9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.9W Ta
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5m Ω @ 13.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2107pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：31.8nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：12.1A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0085Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：100A
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：54.2 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 9200

1+： $0.39147
10+： $0.36931
100+： $0.34841
500+： $0.32869
1000+： $0.31008

Итого $0.39147