IRFSL5615PBF

Name: Infineon Technologies IRFSL5615PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (5 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Date Sheet

Lagernummer 766

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：144W Tc
Время отключения：17.2 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：144W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8.9 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：AMPLIFIER
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：42m Ω @ 21A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1750pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
Время подъема：23.1ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：13.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)：33A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.042Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：150V
Максимальный импульсный ток вывода：140A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：109 mJ
Высота：9.652mm
Длина：10.668mm
Ширина：4.826mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 766

Итого $0.00000