Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDMS4D4N08C
Изображение служит лишь для справки






FDMS4D4N08C
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Date Sheet
Lagernummer 34543
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Вес:68.1mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:123A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:125W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Конфигурация элемента:Single
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.3m Ω @ 44A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4090pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:56nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):80V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 34543
Итого $0.00000