Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
1N5952AGE3
-
Microsemi
-
Неклассифицированные
- -
- O-LALF-W2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Описание пакета:O-LALF-W2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Номинальный напряжений отсчета:130 V
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:1N5952AGE3
- Максимальная мощность рассеяния:1.5 W
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.11
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Технология:ZENER
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:O-LALF-W2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Допустимый напряжений предел:10%
- Код JEDEC-95:DO-204AL
- Тестовая рабочая токовая струя:2.9 mA
Со склада 0
Итого $0.00000