Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDU3580
Изображение служит лишь для справки
FDU3580
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 42W Tc
- Turn Off Delay Time：34 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerTrench®
- Published：2001
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Voltage - Rated DC：80V
- Current Rating：7.7A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：3.8W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29m Ω @ 7.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1760pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：79nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.7A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты