(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDR6674A
Изображение служит лишь для справки
FDR6674A
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDR6674AMOSFET Transistor, N Channel, 11.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 4.5 V, 1.2 V
Date Sheet
Lagernummer 508
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11.5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W Ta
- Время отключения：69 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Опубликовано：2001
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
- Моментальный ток：11.5A
- Распад мощности：1.8W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5m Ω @ 10.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5070pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：46nC @ 4.5V
- Время подъема：18ns
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Время падения (тип)：18 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：11.5A
- Пороговое напряжение：1.2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Номинальное Vgs：1.2 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 508
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
