Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BS250PSTOB
Изображение служит лишь для справки
BS250PSTOB
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- E-Line-3
- MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：E-Line-3
- Weight：453.59237mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：700mW Ta
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：230mA Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Voltage - Rated DC：-45V
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-230mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-W3
- Qualification Status：Not Qualified
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：700mW
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：14 Ω @ 200mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：60pF @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：45V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：230mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.23A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-45V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты