(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ZVN2120ASTOA
Изображение служит лишь для справки
ZVN2120ASTOA
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- E-Line-3
- MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：E-Line-3
- Количество контактов：3
- Вес：453.59237mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：180mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：700mW Ta
- Время отключения：20 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：180mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：700mW
- Время задержки включения：8 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10 Ω @ 250mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：85pF @ 25V
- Время подъема：8ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：8 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：180mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：200V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
