Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4108DY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4108DY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V
Date Sheet
Lagernummer 16000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20.5A Tc
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：23 ns
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：TrenchFET®
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Max Power Dissipation：7.8W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：8
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：7.8W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9.8m Ω @ 13.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2100pF @ 38V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：54nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Fall Time (Typ)：9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20.5A
- JEDEC-95 Code：MS-012AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：75V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：60A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：51.2 mJ
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 16000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты