(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APTC80SK15T1G
Изображение служит лишь для справки
APTC80SK15T1G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SP1
- Trans MOSFET N-CH 800V 28A 12-Pin Case SP-1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SP1
- Количество контактов：1
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：277W Tc
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e1
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：12
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：12
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：277W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.9V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4507pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Непрерывный ток стока (ID)：28A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Минимальная напряжённость разрушения：800V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：670 mJ
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
