(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APTM120U10DAG
Изображение служит лишь для справки
APTM120U10DAG
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SP6
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SP6
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：160A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3290W Tc
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e1
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：5
- Код JESD-30：R-XUFM-X5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120m Ω @ 58A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 20mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：28900pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1100nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Непрерывный ток стока (ID)：116A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3200 mJ
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
