MMBT2907

Name: National Semiconductor Corporation MMBT2907
Brand: National Semiconductor Corporation
Rating: 4.5 (9 reviews)

National Semiconductor Corporation
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
Vertical, 6 PC Pin
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：Vertical, 6 PC Pin
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Траниционный частотный предел (fT)：200 MHz
Время отключения макс. (toff)：100 ns
Время включения макс. (ton)：45 ns
Серия：RT
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-40°C ~ 100°C
Размер / Размерность：2.362" L x 1.496" W (60.00mm x 38.00mm)
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Агентство по подтверждению соответствия：UR
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：SWITCHING
Тип фильтра：Power Line
Полярность/Тип канала：PNP
Код JEDEC-95：TO-236AB
Число линий：3
Максимальная мощность тока：32A
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.225 W
Изоляционный напряжений：600V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
Индуктивность @ Частота：10.1 mH @ 100 kHz
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
Максимальное напряжение на выходе：1.6 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：8 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.35 W
Высота (макс.)：2.480" (63.00mm)

Со склада 0

Итого $0.00000