(0)
Изображение служит лишь для справки
KSE13003
-
Samsung Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：connector housing - PVC-45P
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Траниционный частотный предел (fT)：4 MHz
- Время отключения макс. (toff)：4700 ns
- Время включения макс. (ton)：1100 ns
- Gross Weight：419.79
- Код ECCN：EAR99
- Тип соединителя：IEC C19 socket (F) - Schuko-01 plug (M)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Код JEDEC-95：TO-126
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1.5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：400 V
- Максимальное напряжение на выходе：3 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：20 W
- Длина：3000 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
