Изображение служит лишь для справки
MGFS45V2527A
- Mitsubishi Electric
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-51, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:GALLIUM ARSENIDE
- Материал наружного корпуса:1
- Имя:Keystone Jack module
- Cable:4x2 UTP Cat 5e
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Максимальный ток утечки (ID):6.5 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Для использования с/связанными продуктами:Cable Ties 50-250 lb
- Пакетирование:Box
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Тип:Gun
- Цвет:white/gray
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Экранирование:none
- Глубина:30 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:10 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима:S BAND
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:88 W
- Характеристики:Adjustable Tension, Ergonomic, Flush Cut
- Стандартный:TIA/ EIA 568A/ 568B ISO/ IEC11801
- Высота:23 (full) mm
- Ширина:17 mm
Со склада 0
Итого $0.00000