(0)
Изображение служит лишь для справки
TH430
-
Advanced Semiconductor Inc
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Температура работы-Макс：200 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Категория：5e
- Length (inch)：19
- Height mm：45.0
- Length mm：482.6
- Выберите сначала, а затем фильтры：har-key, 22.3mm
- Серия：har-key
- Пакетирование：Bulk
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Maintained
- Цвет：black
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Экранирование：UTP, unshielded
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Тип привода：Keylock
- Размеры панели для вырезки：22.3mm (Round)
- Конфигурация：SINGLE
- Освещение：Non-Illuminated
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：330 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：40 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
- Требования：Contact Block(s)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：55 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：360 pF
- Высота：1U
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
