Изображение служит лишь для справки
SIRA04DP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.00215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALEGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 1531
- 1+: $1.12825
- 10+: $1.06438
- 100+: $1.00414
- 500+: $0.94730
- 1000+: $0.89368
Zwischensummenbetrag $1.12825
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALEGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):40 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Indicator type:GQ16 series vandal resistant indicator
- Класс защиты:IP65
- Номинальный ток:15 mA
- Номинальное напряжение:12-24 V
- LED service life:≥100,000 hours
- Nominal resistance:2 Ohm
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Цвет:green
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-C5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.00215 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
- Яркость:100 cd/ m2
Со склада 1531
- 1+: $1.12825
- 10+: $1.06438
- 100+: $1.00414
- 500+: $0.94730
- 1000+: $0.89368
Итого $1.12825