SI5515CDC-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 0.24101 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (7 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 1206-8, CHIPFET-8
Date Sheet

Lagernummer 3605

1+： $0.24101
10+： $0.22737
100+： $0.21450
500+： $0.20236
1000+： $0.19090

Zwischensummenbetrag $0.24101

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал：polyolefin
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 1206-8, CHIPFET-8
Максимальный ток утечки (ID)：4 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Weight gross：1697.50
Diameter before shrinkage：4.8 mm
Диаметр номинальный：4.8 mm
Пакетирование：reel 100 m
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Тип：Heat shrink tube with adhesive layer
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Цвет：green
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-C8
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Замечание：Possible deviation of shrinkage diameter up to +1.5 mm
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.036 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：3.1 W
Ток насыщения：1
Длина：100000 mm

Со склада 3605

1+： $0.24101
10+： $0.22737
100+： $0.21450
500+： $0.20236
1000+： $0.19090

Итого $0.24101