Изображение служит лишь для справки

SUD50N04-8M8P-4GE3

Lagernummer 4678

  • 1+: $0.93238
  • 10+: $0.87960
  • 100+: $0.82981
  • 500+: $0.78284
  • 1000+: $0.73853

Zwischensummenbetrag $0.93238

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of transistor:N-MOSFET
  • Polarisation:unipolar
  • Монтаж:SMD
  • Kind of channel:enhanced
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
  • Максимальный ток утечки (ID):14 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-252
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0088 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:100 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:40 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):45 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):48.1 W
  • Ток насыщения:1

Со склада 4678

  • 1+: $0.93238
  • 10+: $0.87960
  • 100+: $0.82981
  • 500+: $0.78284
  • 1000+: $0.73853

Итого $0.93238