Изображение служит лишь для справки
SUD50N04-8M8P-4GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Date Sheet
Lagernummer 4678
- 1+: $0.93238
- 10+: $0.87960
- 100+: $0.82981
- 500+: $0.78284
- 1000+: $0.73853
Zwischensummenbetrag $0.93238
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Монтаж:SMD
- Kind of channel:enhanced
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID):14 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0088 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:100 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):45 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):48.1 W
- Ток насыщения:1
Со склада 4678
- 1+: $0.93238
- 10+: $0.87960
- 100+: $0.82981
- 500+: $0.78284
- 1000+: $0.73853
Итого $0.93238