Изображение служит лишь для справки
IRF630N
-
Motorola Semiconductor Products
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Максимальный ток утечки (ID)：9 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.4 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：75 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты