Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SM8S43AHE3/2D

Lagernummer 6

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:1
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:VISHAY SEMICONDUCTORS
  • Код упаковки компонента:DO-218
  • Описание пакета:R-PSSO-C1
  • Пороговая напряжённость-номинал:50.3 V
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, PD-CASE
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):245
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Число контактов:1
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PSSO-C1
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Направленность:UNIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Сокетная связка:ANODE
  • Максимальное обратное напряжение:43 V
  • Код JEDEC-95:DO-218AB
  • Максимальная мощность разрядки:5200 W
  • Минимальная напряжение разрушения:47.8 V
  • Максимальное напряжение зажима:69.4 V
  • Диапазон выхода:8 W
  • Максимальная напряжённость разрушения:52.8 V
  • Ток насыщения:1

Со склада 6

Итого $0.00000