Изображение служит лишь для справки
NESG2101M05-T1
- NEC Electronics Group
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON GERMANIUM
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NEC ELECTRONICS CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT):17000 MHz
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PDSO-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:5 V
- Частотная полоса наивысшего режима:L BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс:0.5 pF
Со склада 0
Итого $0.00000