NE3210S01-T1B

Name: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd NE3210S01-T1B
Brand: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
Rating: 5 (16 reviews)

NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
Транзисторы - Специального назначения
-
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал корпуса：ABS UL94-V0
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
Материал наружного корпуса：1
Порог диэлектрической прочности：2500 (50 Hz / 1 min.) V
Load Voltage：~90...480 V
Transport Packaging size/qty：42.5*35.5*15/50
Gross Weight：125.60
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
Максимальный ток утечки (ID)：0.015 A
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：UNSPECIFIED
Форма упаковки：MICROWAVE
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Тип：Single-phase SSR solid state relay series
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Положение терминала：UNSPECIFIED
Форма вывода：GULL WING
Глубина：62 mm
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：X-PXMW-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Изоляционный сопротивление：100 (at Uis.d.c=500V) MΩ min
Ток утечки：5 mA
Режим работы：DEPLETION MODE
Сокетная связка：SOURCE
Режим управления：with zero crossing control
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Минимальная напряжённость разрушения：3 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HETERO-JUNCTION
Зарядный ток：10 A
Управляющая напряжённость：80...250 (AC) V
Частотная полоса наивысшего режима：KU BAND
Время переключения：8.3 ms max
Уголок мощности-минимум (Гп)：12 dB
Высота：22.5 mm
Ширина：45 mm

Со склада 0

Итого $0.00000