Изображение служит лишь для справки
IRF1407PBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 1018
- 1+: $1.16080
- 10+: $1.09510
- 100+: $1.03311
- 500+: $0.97463
- 1000+: $0.91946
Zwischensummenbetrag $1.16080
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of adapter for programmers:extension module
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Описание пакета:PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):130 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0078 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:520 A
- Минимальная напряжённость разрушения:75 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):390 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):330 W
Со склада 1018
- 1+: $1.16080
- 10+: $1.09510
- 100+: $1.03311
- 500+: $0.97463
- 1000+: $0.91946
Итого $1.16080