Изображение служит лишь для справки
IRF7854TRPBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0134ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента:SOT
- Описание пакета:LEAD FREE, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):10 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0134 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:79 A
- Минимальная напряжённость разрушения:80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):110 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2.5 W
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000