SI2316BDS-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI2316BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 6

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Indicator type：ring
Switching cycles (electrical)：≥50000
Relative humidity：45...85 %
LED operating life：≥40000 hours
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：TO-236, SOT-23, 3 PIN
Максимальный ток утечки (ID)：4.5 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-236AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.66 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：37 pF
Ток насыщения：1
Контакты：4Pin+2Pin

Со склада 6

Итого $0.00000