Изображение служит лишь для справки
SI7456DDP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 27.8A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 13051
- 1+: $1.32029
- 10+: $1.24555
- 100+: $1.17505
- 500+: $1.10854
- 1000+: $1.04579
Zwischensummenbetrag $1.32029
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks, 4 Days
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):27.8 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-C5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.023 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:70 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):11.2 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 13051
- 1+: $1.32029
- 10+: $1.24555
- 100+: $1.17505
- 500+: $1.10854
- 1000+: $1.04579
Итого $1.32029