Изображение служит лишь для справки
SISHA12ADN-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
- Date Sheet
Lagernummer 36062437
- 1+: $0.59895
- 10+: $0.56504
- 100+: $0.53306
- 500+: $0.50289
- 1000+: $0.47442
Zwischensummenbetrag $0.59895
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:,
- Date Of Intro:2018-12-13
- Максимальный ток утечки (ID):25 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):75 ns
- Время включения макс. (ton):40 ns
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:S-PDSO-N8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0043 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):11 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):28 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):51 pF
Со склада 36062437
- 1+: $0.59895
- 10+: $0.56504
- 100+: $0.53306
- 500+: $0.50289
- 1000+: $0.47442
Итого $0.59895