Изображение служит лишь для справки
BLW77
- Advanced Semiconductor Inc
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
- Date Sheet
Lagernummer 52
- 1+: $44.59629
- 10+: $42.07197
- 100+: $39.69054
- 500+: $37.44391
- 1000+: $35.32444
Zwischensummenbetrag $44.59629
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:1206
- Case - mm:3216
- Capacitors series:KGM
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ASI SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Температура работы-Макс:200 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Допуск:±20%
- Код ECCN:EAR99
- Капацитивность:0.1µF
- Положение терминала:RADIAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Диэлектрик:X7R
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:EMITTER
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.):245 W
- Максимальный ток коллектора (IC):12 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):15
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:35 V
- Частотная полоса наивысшего режима:VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 52
- 1+: $44.59629
- 10+: $42.07197
- 100+: $39.69054
- 500+: $37.44391
- 1000+: $35.32444
Итого $44.59629