Изображение служит лишь для справки
IRF7504TRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Вес：0.5 kg
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Analog：POS40
- Execution：tube
- Melting temperature：183...240 °C
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Максимальный ток утечки (ID)：1.7 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Пакетирование：coil
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Soft tin-lead solder Sn/Pb with flux
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.27 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：9.6 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
- Диаметр：0.8 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты