SQJ912DEP-T1_GE3

Name: Vishay Intertechnologies SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.5 (17 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
Date Sheet

Lagernummer 28

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：25 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：1206
Case - mm：3216
Capacitors series：KGM
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：SO-8L, 4 PIN
Максимальный ток утечки (ID)：30 A
Температура работы-Макс：175 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：85 ns
Время включения макс. (ton)：30 ns
Допуск：±10%
Код ECCN：EAR99
Капацитивность：0.33nF
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：unknown
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSSO-G4
Диэлектрик：X7R
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0073 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：120 A
Минимальная напряжённость разрушения：40 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：18 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：44 pF

Со склада 28

Итого $0.00000