Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 7

  • 1+: $70.35840
  • 10+: $66.37585
  • 100+: $62.61873
  • 500+: $59.07427
  • 1000+: $55.73044

Zwischensummenbetrag $70.35840

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON CARBIDE
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:WOLFSPEED INC
  • Максимальный ток утечки (ID):75 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса:white ceramic
  • Время:(max) operation at I=2.75 x Irating - 2 s
  • Номинальный ток:1 A
  • Номинальное напряжение:250 (AC) V
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Глубина:20 mm
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Нормативная Марка:IEC-60747-8-4
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-247
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.07 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:160 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:1700 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):338 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):6.7 pF

Со склада 7

  • 1+: $70.35840
  • 10+: $66.37585
  • 100+: $62.61873
  • 500+: $59.07427
  • 1000+: $55.73044

Итого $70.35840