Изображение служит лишь для справки
IRF340
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：BFM
- Описание пакета：HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения макс. (toff)：137 ns
- Время включения макс. (ton)：117 ns
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：2
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-204AE
- Сопротивление открытого канала-макс：0.63 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：400 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：5.7 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：125 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты