Изображение служит лишь для справки
SIR878ADP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
- Максимальный ток утечки (ID):40 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-C5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.014 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):44.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000