Изображение служит лишь для справки
NDP6020P
-
National Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета：TO-220, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：27 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Gross Weight：0.12
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Вид коммутатора：Tactile button series IT-1100
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：70 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты