Изображение служит лишь для справки
IRFD120
- Fairchild Semiconductor Corporation
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HEXDIP-4
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Код упаковки компонента:DIP
- Описание пакета:HEXDIP-4
- Максимальный ток утечки (ID):1.3 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:IN-LINE
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:0603
- Case - mm:1608
- Capacitors series:KGM
- Допуск:±2%
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Капацитивность:1nF
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PDIP-T4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Диэлектрик:C0G (NP0)
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.3 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
Со склада 0
Итого $0.00000