Изображение служит лишь для справки
SUD50P10-43L-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 36.4A I(D), 100V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
- Date Sheet
Lagernummer 7206
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:polyester and polyolefin
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:DPAK-3/2
- Максимальный ток утечки (ID):36.4 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Diameter before shrinkage:20 ±2 mm
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Тип:thermoshrinkable braid
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.043 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:40 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):61 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
- Длина:1 m
Со склада 7206
Итого $0.00000