Изображение служит лишь для справки
DTC115EE
- ROHM Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диаметр отверстия для крепления:12.2 mm
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROHM CO LTD
- Gross Weight:14.85
- Switching Scheme:ON-OFF, SPST
- Teral Type:blade terminalsmin
- Minimum Electrical Switch Cycles:10000
- Порог диэлектрической прочности:1500 (50 Hz, 1 min.) V
- Код JESD-609:e1
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Глубина:46.7 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Сопротивление контакта:50 mOhm maximum
- Изоляционный сопротивление:1000 (at Uisol.dc=500 V) MOhm minimum
- Вид коммутатора:Single-Pole Toggle Switch KN3E series
- Полярность/Тип канала:NPN
- Диапазон рабочей температуры:-25…+70 (+85 max) °C
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.15 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):82
- Высота:22.9 mm
- Ширина:14.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000