(0)
Изображение служит лишь для справки
BU508AF
-
Samsung Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Noal resistance：1 MOhmin
- Длина стержня：L - 20 mm
- Wear resistance：15000 cycles
- Nominal dissipation power：0.125 W
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Variable resistor (potentiometer) series 16K1
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Глубина：30 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：34 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：2.25
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：700 V
- Максимальное напряжение на выходе：1 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：60 W
- Характеристики：carbon resistive element, shaft type - KC
- Высота：24.95 mm
- Ширина：16.9 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
